В США было разработано новое устройство, которое может привести к развитию новой группы высокоплотной энергонезависимой памяти.

На основе необычного материала, который используется в опытном образце устройства схемы Hewlett-Packard, насчитывается свыше 100 миллиардов элементов на квадратном сантиметре.

Прародителем четвертого базового элемента микросхем, о котором говорили еще 30 лет назад, стал Стенли Уильямс, который вместе с группой исследователей, занимался созданием новой схемы в лаборатории Hewlett-Packard.

Учеными был разработан мемристор, который представляет собой нелинейное сопротивление, обладающее памятью. Еще в далеком 1971 году это устройство было придумано Леон Чуа из калифорнийского университета. Он считал, что в скором будущем данное изобретение станет после конденсатора, катушки индуктивности и сопротивления четвёртым базовым элементом электроники.

Однако на протяжении многих лет специалисты не могли физически воплотить мемристор в жизнь, и он оставался только теоретическим устройством, существующим на бумаге. Теперь же ученым из лаборатории HP Labs удалось создать мемристор. В основе нового прибора лежит использование тонких плёнок диоксида титана, на разных уровнях которых расположены в неравном распределении атомы титана и кислорода.

Это устройство станет новым шагом в электронике, позволив увеличить мощность и производительность многих приборов и схем.